Central Semiconductor CJD31CTR13

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CJD31CTR13

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.36

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.56W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

最大集极截止电流

50µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

频率转换

3MHz

最大耗散功率(Abs)

15 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

1.2 V

环境耗散-最大值

15 W