Central Semiconductor CMLDM7003GTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

供应商器件包装

SOT-563

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Product Status

活跃

厂商

Central Semiconductor Corp

Base Product Number

CMLDM7003

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CMLDM7003GTR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.57

Drain Current-Max (ID)

0.28 A

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ohm @ 50mA, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.76nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

50V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

达到SVHC

compliant