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Central Semiconductor CMLDM7120GTR

Name: CMLDM7120GTR
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-CMLDM7120GTR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CMLDM7120GTR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CMLDM7120GTR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6

起订量

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CMLDM7120GTR Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6

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CMLDM7120GTR详情

技术参数

Central Semiconductor CMLDM7120GTR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
供应商器件包装

SOT-563
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Power Dissipation (Max)

150mW (Ta)
操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)
系列

--
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

100 mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

220pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.4nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
Vgs（最大值）

8V
场效应管特性

--

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