Central Semiconductor CMLDM8120GTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-563

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

860mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CMLDM8120GTR

Drain Current-Max (ID)

0.86 A

Risk Rank

5.03

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Package Shape

RECTANGULAR

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150 mOhm @ 950mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.56nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

8V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.86 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

场效应管特性

--