Central Semiconductor CMPT918TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

600 MHz

Manufacturer Part Number

CMPT918TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.07

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

增益

11dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

频率转换

600MHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

15 V

VCEsat-最大值

0.4 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

3 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

6dB @ 60MHz

功率增益-最小值(Gp)

11 dB