Central Semiconductor CBCX69TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-89

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

65 MHz

Manufacturer Part Number

CBCX69TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.07

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.2W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

20V

频率转换

65MHz

最大耗散功率(Abs)

1.2 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

85

集电极-发射器电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

0.5 V