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Central Semiconductor CMRDM3575TR

Name: CMRDM3575TR
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-CMRDM3575TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CMRDM3575TR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CMRDM3575TR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SOT-963

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-963, 6 PIN

起订量

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CMRDM3575TR Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-963, 6 PIN

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CMRDM3575TR详情

技术参数

Central Semiconductor CMRDM3575TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-963
底架

表面贴装
供应商器件包装

SOT-963
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160mA, 140mA
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

100 ns
操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)
系列

--
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
电阻

20 Ω
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

125 mW
通道数量

2
元素配置

Dual
接通延迟时间

35 ns
功率 - 最大

125mW
场效应管类型

N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ohm @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.46nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
连续放电电流(ID)

140 mA
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
输入电容

9 pF
场效应管特性

逻辑电平门
漏源电阻

20 Ω
最大rds

3 Ω
无铅

无铅

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CMRDM3575TR拓展信息

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