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Central Semiconductor CMUDM8001TR

Name: CMUDM8001TR
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-CMUDM8001TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CMUDM8001TR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CMUDM8001TR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SOT-523

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRAMINI-3

起订量

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CMUDM8001TR Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRAMINI-3

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CMUDM8001TR详情

技术参数

Central Semiconductor CMUDM8001TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-523
供应商器件包装

SOT-523
Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)
Other Names

CMUDM8001 TR PBFREE CMUDM8001 TR-ND CMUDM8001TR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Power Dissipation (Max)

250mW (Ta)
操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 3V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.66nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
Vgs（最大值）

10V
场效应管特性

-

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