Central Semiconductor CWDM305NTR13

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

CWDM305NTR13

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

5.8 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30 mOhm @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.3nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.034 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

--