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Central Semiconductor CXDM1002NTR

Name: CXDM1002NTR
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-CXDM1002NTR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CXDM1002NTR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CXDM1002NTR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

起订量

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CXDM1002NTR Central Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

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CXDM1002NTR详情

技术参数

Central Semiconductor CXDM1002NTR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-243AA
供应商器件包装

SOT-89
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta)
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

--
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

300 mOhm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)

100V
Vgs（最大值）

20V
场效应管特性

--

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