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Central Semiconductor CXDM3069NTR

Name: CXDM3069NTR
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-CXDM3069NTR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CXDM3069NTR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CXDM3069NTR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

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CXDM3069NTR Central Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

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CXDM3069NTR详情

技术参数

Central Semiconductor CXDM3069NTR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-243AA
供应商器件包装

SOT-89
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta)
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

--
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

30 mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

30V
Vgs（最大值）

12V
场效应管特性

--

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