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CZT122TR

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Central Semiconductor CZT122TR

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对比

型号

CZT122TR

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-CZT122TR

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

起订量

1最小包装量--

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CZT122TR

CZT122TR Central Semiconductor Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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CZT122TR详情

技术参数

Central Semiconductor CZT122TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz
Manufacturer Part Number

CZT122TR
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Central Semiconductor Corp
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

5.1
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码

8541.29.00.95
子类别

其他晶体管
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

DARLINGTON
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
最大耗散功率(Abs)

2 W
集电极电流-最大值(IC)

5 A
最小直流增益（hFE）

1000
集电极-发射器电压-最大值

100 V
VCEsat-最大值

4 V
集电极-基极电容-最大值

200 pF

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CZT122TR拓展信息

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