Central Semiconductor CZT32CTR

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CZT32CTR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

厂商

Central Semiconductor Corp

Product Status

最后一次购买

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

最大集极截止电流

300µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

3MHz

最大耗散功率(Abs)

10 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

1.2 V