Central Semiconductor MPQ6002

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-116

引脚数

14

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Number of Elements

4

Power Dissipation (Max)

650mW

hFEMin

30

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

集电极发射器电压(VCEO)

1.4V

最大集电极电流

500mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

30

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅