Central Semiconductor Corp C1Z200B TR

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AL, DO-41, Axial

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

操作温度

-65°C~150°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE

HTS代码

8541.10.00.50

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5μA @ 152V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1V @ 500mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1W

阻抗-最大

1.5kOhm

参考电压

200V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant