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Central Semiconductor Corp CMPDM7120G

Name: CMPDM7120G
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 420-CMPDM7120G
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CMPDM7120G

品牌

Central Semiconductor Corp

utmel 编号

420-CMPDM7120G

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-3

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CMPDM7120G Central Semiconductor Corp Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-3

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CMPDM7120G详情

技术参数

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Central Semiconductor Corp CMPDM7120G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description

PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)

1 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
附加功能

逻辑电平兼容
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

not_compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.14 Ω
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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CMPDM7120G拓展信息

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