AP02N60I详情
C&K AP02N60I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
AP02N60I
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3.6 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
AP02N60I拓展信息








哦! 它是空的。