注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
AP02N60I
品牌
C&K
utmel 编号
374-AP02N60I
商品类别
集成电路(IC)
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
AP02N60I datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from C&K stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
AP02N60I详情
技术参数
C&K AP02N60I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3.6 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
AP02N60I拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
AP02N60I零件
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:1103M2S3CBE3
封装:--
品牌:C&K
库存:0
型号:1201M2T3ABE2
型号:1108M2S3V3BE2
型号:1201M2T3AQE2
型号:1201M1S1ZBE1
型号:1101M1S2WBE2
购物车 (0件产品)