Comchip Technology CTAN1412V-G

表面安装

YES

包装/外壳

SOIC-14

二极管元件材料

SILICON

终端数量

14

Manufacturer Part Number

CTAN1412V-G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD

Package Description

SOIC-14

Risk Rank

1.74

Breakdown Voltage-Nom

13.3 V

Number of Elements

10

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

30

Cd - Diode Capacitance

120 pF

Breakdown Voltage / V

13.3 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Vesd - Voltage ESD Contact

16 kV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Ipp - Peak Pulse Current

12 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

300 W

Brand

芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

16 kV

包装

Reel

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G14

工作电压

12 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

COMMON ANODE, 10 ELEMENTS

通道数量

4 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箝位电压

20 V

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

12 V

最大非代表峰值转速功率Dis

300 W

击穿电压-最小值

13.3 V

最大箝位电压

20 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes