CUR807-G
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Comchip Technology CUR807-G

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型号

CUR807-G

utmel 编号

513-CUR807-G

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

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CUR807-G Comchip Technology DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

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CUR807-G详情

Comchip Technology CUR807-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    TO-220AC

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    SiTime

  • Product Status

    活跃

  • Base Product Number

    CUR80

  • 操作温度

    -20°C ~ 70°C

  • 系列

    SiT8208

  • 尺寸/尺寸

    0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 频率

    65 MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 频率稳定性

    ±10ppm

  • 输出量

    LVCMOS, LVTTL

  • 功能

    Standby (Power Down)

  • 基本谐振器

    MEMS

  • 最大电流源

    33mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    70µA

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10 µA @ 800 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7 V @ 8 A

  • 扩频带宽

    -

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 150°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    800 V

  • 平均整流电流(Io)

    8A

  • 电容@Vr, F

    40pF @ 4V, 1MHz

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 反向恢复时间(trr)

    60 ns

  • 座位高度(最大)

    0.031 (0.80mm)

  • 评级结果

    -

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