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价格梯度

内地含税价

1

￥64.308105
10

￥60.668024
100

￥57.233982
500

￥53.994321
1000

￥50.938039

Cree C3M0120065D

Name: C3M0120065D
Brand: Cree
SKU: 564-C3M0120065D
Price: 64.31 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

C3M0120065D

品牌

Cree

utmel 编号

564-C3M0120065D

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SiC, MOSFET, 120mOhm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3

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C3M0120065D Cree MOSFET SiC, MOSFET, 120mOhm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3

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C3M0120065D详情

技术参数

Cree C3M0120065D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
RoHS

Details
Mounting Styles

通孔
Transistor Polarity

N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V
Id - Continuous Drain Current

22 A
Rds On - Drain-Source Resistance

120 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage

- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.6 V
Qg - Gate Charge

28 nC
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Pd - Power Dissipation

98 W
Channel Mode

Enhancement
Fall Time

8 ns
Forward Transconductance - Min

5 S
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30
Typical Turn-Off Delay Time

17 ns
Typical Turn-On Delay Time

7 ns
包装

Tube
配置

Single
通道数量

1 Channel
上升时间

13 ns
晶体管类型

1 N-Channel
产品

MOSFET
高度

21.1 mm
长度

16.13 mm
宽度

5.21 mm

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C3M0120065D拓展信息

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