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CTS GL111F23IDT
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GL111F23IDT
585-GL111F23IDT
晶体
11.7 mm x 5 mm
大陆
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Crystals HC-49U/S-SM GND Lead Crystal 11.059200 MHz Tol /-20ppm, Stab /-30ppm, -40C/85C, 18pF
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GL111F23IDT详情
CTS GL111F23IDT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
11.7 mm x 5 mm
Voltage, Rating
50 V
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
系列
ATSSMGL
容差
0.25 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
48.7 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
100 mW
频率
11.0592 MHz
频率稳定性
30 PPM
终端样式
SMD/SMT
负载电容
18 pF
驱动电平
100 uW
等效串联电阻
60 Ohms
高度
550 µm
宽度
5 mm
长度
11.7 mm
GL111F23IDT拓展信息
CTS
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CTS
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公司资质
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