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技术文档
型号
CY7C186A-55LMB
品牌
Cypress
utmel 编号
603-CY7C186A-55LMB
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
8K X 8 Standard SRAM 55 Ns CQCC32
起订量
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CY7C186A-55LMB详情
技术参数
Cypress CY7C186A-55LMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
32
RoHS
Non-Compliant
Package Description
CERAMIC, LCC-32
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
8000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
LCC32,.45X.55
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCN
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
8.45
Part Package Code
QFJ
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-CQCC-N32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.286 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
输出启用
宽度
11.43 mm
长度
13.97 mm
达到SVHC
not_compliant
CY7C186A-55LMB拓展信息
公司资质
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