Cypress U632H16DK35G1

包装/外壳

Radial

表面安装

NO

供应商器件包装

-

终端数量

28

Package

Bulk

厂商

Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)

Product Status

活跃

Package Description

DIP, DIP28,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP28,.3

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

U632H16DK35G1

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SIMTEK CORP

Risk Rank

5.45

Part Package Code

DIP

操作温度

-

系列

VHP203

尺寸/尺寸

0.415 L x 0.162 W (10.54mm x 4.11mm)

容差

±0.005%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±0.2ppm/°C

电阻

400 Ohms

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

组成

金属箔

功率(瓦特)

0.2W, 1/5W

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

失败率

-

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.085 mA

组织结构

2KX8

座位高度-最大

5.1 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.003 A

记忆密度

16384 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

特征

Moisture Resistant, Non-Inductive

座位高度(最大)

0.395 (10.03mm)

宽度

7.62 mm

长度

34.7 mm