Cypress Semiconductor CY14B256L-SZ25XI
- 收藏
- 对比
CY14B256L-SZ25XI
603-CY14B256L-SZ25XI
无类别的
--
大陆
立即发货

Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
1最小包装量--
CY14B256L-SZ25XI详情
Cypress Semiconductor CY14B256L-SZ25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
SOP,
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY14B256L-SZ25XI
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.69
Part Package Code
SOIC
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
32KX8
座位高度-最大
2.54 mm
内存宽度
8
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
NON-VOLATILE SRAM
宽度
7.5057 mm
长度
20.726 mm
CY14B256L-SZ25XI拓展信息







哦! 它是空的。