Cypress Semiconductor CY6116A-55DMB

表面安装

NO

终端数量

24

Clock Freq

Not Required MHz

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

CDIP

Operating Temp Range

-55C to 125C

Number of Words

2K word

Address Bus

11 b

Operating Supply Voltage (Max)

5.5 V

Operating Supply Voltage (Typ)

5 V

Rad Hardened

无

Operating Supply Voltage (Min)

4.5 V

Mounting

通孔

Package Description

DIP-24

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY6116A-55DMB

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

24

JESD-30代码

R-PDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.1 mA

访问时间

55ns

建筑学

不需要

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.715 mm

内存宽度

8

密度

16384 Bit

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

访问时间（最大）

55ns

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

供应电流

100mA

宽度

15.24 mm

长度

31.877 mm