Cypress Semiconductor CY62128DV30LL-55ZXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

32-TSOP I

终端数量

32

Package

Bulk

Base Product Number

CY62128

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62128DV30LL-55ZXI

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.43

Part Package Code

TSOP1

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

1Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

128K x 8

宽度

8 mm

长度

18.4 mm