Cypress Semiconductor CY62147DV30L-55BVI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-VFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY62147

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY62147DV30L-55BVI

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.73

Part Package Code

BGA

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

4Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX16

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

256K x 16

宽度

6 mm

长度

8 mm