CY62148BNLL-70SXI
CY62148BNLL-70SXI

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Cypress Semiconductor CY62148BNLL-70SXI

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型号

CY62148BNLL-70SXI

utmel 编号

603-CY62148BNLL-70SXI

商品类别

连接器,连接线

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

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CY62148BNLL-70SXI
CY62148BNLL-70SXI Cypress Semiconductor Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

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CY62148BNLL-70SXI详情

Cypress Semiconductor CY62148BNLL-70SXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    32

  • Package Description

    0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    SOP32,.56

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • Access Time-Max

    70 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CY62148BNLL-70SXI

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    SOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    赛普拉斯半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.25

  • Part Package Code

    SOIC

  • JESD-609代码

    e4

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    32

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G32

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.02 mA

  • 组织结构

    512KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    2.997 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.0015 A

  • 记忆密度

    4194304 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    2 V

  • 宽度

    11.303 mm

  • 长度

    20.4465 mm

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