Cypress Semiconductor CY62157DV30L-55ZSXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY62157

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

TSOP2,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62157DV30L-55ZSXI

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.48

Part Package Code

TSOP2

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e3/e4

无铅代码

有

端子表面处理

MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

8Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX16

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

512K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm