Cypress Semiconductor CY62256-70SNI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

表面安装

YES

引脚数

28

供应商器件包装

28-SOIC

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY62256

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, SOIC-28

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY62256-70SNI

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.69

Part Package Code

SOIC

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

COMMERCIAL

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

256Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

70 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

2.794 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

组织的记忆

32K x 8

宽度

7.5 mm

长度

18.39 mm