Cypress Semiconductor CY62256L-70SNCT

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

28-SOIC

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY62256

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, SOIC-28

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP28,.5

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY62256L-70SNCT

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.55

Part Package Code

SOIC

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05 mA

访问时间

70 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

2.794 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

待机电流-最大值

0.00002 A

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

输出启用

YES

组织的记忆

32K x 8

宽度

7.5057 mm

长度

17.9324 mm