Cypress Semiconductor CY7C1009BN-15VIT

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

32-SOJ

终端数量

32

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1009

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, SOJ-32

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOJ32,.34

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1009BN-15VIT

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.36

Part Package Code

SOJ

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-J32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

1Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.08 mA

访问时间

15 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

3.556 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

组织的记忆

128K x 8

宽度

7.5057 mm

长度

17.907 mm

无铅

含铅