Cypress Semiconductor CY7C1021B-12ZC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

Number of Words

64000

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1021

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1021B-12ZC

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

TSOP2

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

1Mbit

端口的数量

1

电源电流

140 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

12 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX16

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

地址总线宽度

16 b

密度

1 Mb

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

64K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm

达到SVHC

unknown