Cypress Semiconductor CY7C1021CV33-12BAI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

供应商器件包装

48-FBGA (7x7)

终端数量

48

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1021

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-48

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1021CV33-12BAI

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.54

Part Package Code

BGA

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

220

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

S-PBGA-B48

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

1Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

12 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.63 V

电压 - 供电 （最小值）

2.97 V

组织的记忆

64K x 16

宽度

7 mm

长度

7 mm