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CY7C109BN-12ZC
CY7C109BN-12ZC

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Cypress Semiconductor CY7C109BN-12ZC

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型号

CY7C109BN-12ZC

品牌

Cypress Semiconductor

utmel 编号

603-CY7C109BN-12ZC

商品类别

无类别的

封装

32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

起订量

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CY7C109BN-12ZC
CY7C109BN-12ZC Cypress Semiconductor Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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CY7C109BN-12ZC详情

技术参数

Cypress Semiconductor CY7C109BN-12ZC重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    32-TSOP I

  • 终端数量

    32

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CY7C109

  • 厂商

    Cypress Semiconductor Corp

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    8 X 20 MM, TSOP1-32

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Number of Words Code

    128000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Access Time-Max

    12 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

    无

  • Manufacturer Part Number

    CY7C109BN-12ZC

  • Number of Words

    131072 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    TSOP1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.51

  • Part Package Code

    TSOP1

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    32

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G32

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 内存大小

    1Mbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    12 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    128KX8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    12ns

  • 记忆密度

    1048576 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 组织的记忆

    128K x 8

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    18.4 mm

  • 达到SVHC

    unknown

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CY7C109BN-12ZC拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS