Cypress Semiconductor CY7C1313V18-200BZC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1313

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1313V18-200BZC

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.87

Part Package Code

BGA

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Synchronous, QDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

220

功能数量

1

端子间距

1 mm

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

18Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

200 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX18

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

组织的记忆

1M x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm

达到SVHC

unknown