Cypress Semiconductor CY7C1353B-66AC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

100-TQFP (14x20)

终端数量

100

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1353

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

11 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1353B-66AC

Clock Frequency-Max (fCLK)

66 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.77

Part Package Code

QFP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.465V

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

内存大小

4.5Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

66 MHz

电源电流-最大值

0.25 mA

访问时间

7 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

组织的记忆

256K x 18

宽度

14 mm

长度

20 mm