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Cypress Semiconductor CY7C1362A-150ACT

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型号

CY7C1362A-150ACT

品牌

Cypress Semiconductor

utmel 编号

603-CY7C1362A-150ACT

商品类别

无类别的

封装

100-LQFP

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

起订量

1最小包装量--

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CY7C1362A-150ACT
CY7C1362A-150ACT Cypress Semiconductor Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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CY7C1362A-150ACT详情

技术参数

Cypress Semiconductor CY7C1362A-150ACT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    100-LQFP

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    100-TQFP (14x20)

  • 终端数量

    100

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CY7C1362

  • 厂商

    Cypress Semiconductor Corp

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

  • Package Style

    FLATPACK, LOW PROFILE

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Access Time-Max

    3.5 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Manufacturer Part Number

    CY7C1362A-150ACT

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    LQFP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.73

  • Part Package Code

    QFP

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 系列

    -

  • 附加功能

    流水线结构

  • 技术

    SRAM - Synchronous, SDR

  • 电压 - 供电

    3.135V ~ 3.6V

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    100

  • JESD-30代码

    R-PQFP-G100

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.63 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3.135 V

  • 内存大小

    9Mbit

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    150 MHz

  • 访问时间

    3.5 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512KX18

  • 座位高度-最大

    1.6 mm

  • 内存宽度

    18

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 记忆密度

    9437184 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 组织的记忆

    512K x 18

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    20 mm

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CY7C1362A-150ACT拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS