Cypress Semiconductor CY7C1362A-225BGC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

119-BGA

表面安装

YES

供应商器件包装

119-PBGA (14x22)

终端数量

119

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1362

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

2.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1362A-225BGC

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

BGA

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

内存大小

9Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

225 MHz

访问时间

2.8 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX18

座位高度-最大

2.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

组织的记忆

512K x 18

宽度

14 mm

长度

22 mm

达到SVHC

unknown