Cypress Semiconductor CY7C1370B-200BGC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

119-BGA

表面安装

YES

引脚数

119

供应商器件包装

119-PBGA (14x22)

终端数量

119

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1370

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

3 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1370B-200BGC

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.78

Part Package Code

BGA

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

220

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

最大电源电压

3.63 V

最小电源电压

3.14 V

内存大小

18Mbit

电源电流

315 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

200 MHz

访问时间

3 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX36

座位高度-最大

2.4 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

密度

18 Mb

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

字长

36 b

内存IC类型

ZBT SRAM

组织的记忆

512K x 36

宽度

14 mm

长度

22 mm

达到SVHC

unknown