Cypress Semiconductor CY7C1399B-20ZC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)

表面安装

YES

引脚数

28

供应商器件包装

28-TSOP I

终端数量

28

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1399

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

8 X 13.40 MM, TSOP1-28

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1399B-20ZC

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.76

Part Package Code

TSOP

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.55 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

256Kbit

电源电流

45 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

20 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

密度

256 kb

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

字长

8 b

内存IC类型

缓存SRAM

组织的记忆

32K x 8

宽度

8 mm

长度

11.8 mm