Cypress Semiconductor CY7C187-25VCT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

表面安装

YES

引脚数

24

供应商器件包装

24-SOJ

终端数量

24

Number of Words

64000

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C187

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, MO-088, SOJ-24

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C187-25VCT

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.53

Part Package Code

SOJ

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

24

JESD-30代码

R-PDSO-G24

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

64Kbit

端口的数量

2

电源电流

70 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

25 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX1

座位高度-最大

3.55 mm

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

16 b

密度

64 kb

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Asynchronous

字长

1 b

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

64K x 1

宽度

7.505 mm

长度

15.365 mm

达到SVHC

unknown