Cypress Semiconductor CY7C197-45PC

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

24-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

24-PDIP

终端数量

24

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C197

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP24,.3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C197-45PC

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.15

Part Package Code

DIP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

引脚数量

24

JESD-30代码

R-PDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.1 mA

访问时间

45 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX1

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.826 mm

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

NO

组织的记忆

64K x 4

宽度

7.62 mm

长度

30.099 mm

达到SVHC

not_compliant