Cypress Semiconductor CY7C199-10ZC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)

表面安装

YES

引脚数

28

供应商器件包装

28-TSOP I

终端数量

28

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C199

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TSOP1,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C199-10ZC

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.1

Part Package Code

TSOP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.55 mm

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

不合格

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

地址总线宽度

15 b

密度

256 kb

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

32K x 8

宽度

8 mm

长度

11.8 mm

达到SVHC

unknown