Cypress Semiconductor CYD02S18V-133BBI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

256-LBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

256-FBGA (17x17)

终端数量

256

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

4 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CYD02S18V-133BBI

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.87

Part Package Code

BGA

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

技术

SRAM - Dual Port, Standard

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

2Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

133 MHz

访问时间

4.7 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX18

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

2359296 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

组织的记忆

128K x 18

宽度

17 mm

长度

17 mm