Cypress Semiconductor CYD18S18V18-167BBAXC
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CYD18S18V18-167BBAXC
603-CYD18S18V18-167BBAXC
无类别的
256-LBGA
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Dual-Port SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256
1最小包装量--
CYD18S18V18-167BBAXC详情
Cypress Semiconductor CYD18S18V18-167BBAXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
256-LBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
256-FBGA (17x17)
终端数量
256
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
CYD18S18
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
LBGA, BGA256,16X16,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA256,16X16,40
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
4 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.65
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
SQUARE
Package Code
LBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Number of Words
1048576 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Manufacturer Part Number
CYD18S18V18-167BBAXC
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous, Standard
电压 - 供电
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.58 V
电源
1.5/1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.42 V
内存大小
18Mbit
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
167 MHz
电源电流-最大值
0.69 mA
访问时间
4 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.7 mm
内存宽度
18
写入周期时间 - 字符、页面
-
待机电流-最大值
0.3 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
1.4 V
组织的记忆
1M x 18
宽度
17 mm
长度
17 mm
CYD18S18V18-167BBAXC拓展信息







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