Cypress Semiconductor CYDM128A16-55BVXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-VFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

100-VFBGA (6x6)

终端数量

100

Package

Bulk

Base Product Number

CYDM

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

BGA

Number of Words

8192 words

Manufacturer Part Number

CYDM128A16-55BVXI

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

55 ns

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

8000

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Package Description

6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

引脚数量

100

JESD-30代码

S-PBGA-B100

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

128Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX16

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

131072 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

组织的记忆

8K x 16

长度

6 mm

宽度

6 mm

达到SVHC

unknown