Cypress Semiconductor CYDM128A16-55BVXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-VFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

100-VFBGA (6x6)

终端数量

100

Package

Bulk

Base Product Number

CYDM

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CYDM128A16-55BVXI

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

BGA

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

MoBL®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

100

JESD-30代码

S-PBGA-B100

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

内存大小

128Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX16

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

131072 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

组织的记忆

8K x 16

宽度

6 mm

长度

6 mm