Cypress Semiconductor Corp CY14B104NA-ZS20XI

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Gold, Tin

引脚数

44

Memory Types

Non-Volatile

已出版

2011

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

CY14B104

引脚数量

44

资历状况

不合格

工作电源电压

3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.7V

内存大小

4Mb 256K x 16

电源电流

70mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16b

组织结构

256KX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.005A

访问时间（最大）

20 ns

字长

16b

座位高度(最大)

1.194mm

长度

18.415mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅