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'cy14b116nzsp25xi'

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category.存储器 (5)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	引脚数	供应商器件包装						厂商								操作温度	包装	已出版	系列	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	最高工作温度	最小工作温度	技术	电压 - 供电	端子位置	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	时间@峰值回流温度-最大值(s)	界面	内存大小	操作模式	访问时间	内存格式	内存接口	数据总线宽度	组织结构	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	密度	筛选水平	访问时间（最大）	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	组织的记忆	座位高度(最大)	长度	RoHS状态
		CY14B116N-ZSP25XI	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		13 Weeks	Gold	表面贴装	表面贴装	54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	54	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tray	2014		活跃	3 (168 Hours)	54	EAR99					3V	DUAL	未说明	1	0.8mm	未说明		16Mb 1M x 16	ASYNCHRONOUS		NVSRAM	Parallel	16b	1MX16	16	25ns	16 Mb		25 ns	3.6V	2.7V		1.2mm	22.415mm	ROHS3 Compliant
		CY14B116N-ZSP25XI	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	54-TSOP II	有	216	Tray	CY14B116	Infineon Technologies	活跃	Non-Volatile					Details	-40°C ~ 85°C (TA)	Tray		CY14B116								NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2.7V ~ 3.6V							16Mbit		25 ns	NVSRAM	Parallel				25ns						1M x 16
		CY14B116N-ZSP25XIT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		13 Weeks	Gold	表面贴装	表面贴装	54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	54	54-TSOP II		Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2008		活跃	3 (168 Hours)				85°C	-40°C		3V						Parallel	16Mb 1M x 16		25ns	NVSRAM	Parallel	16b			25ns	16 Mb								ROHS3 Compliant
		CY14B116N-ZSP25XIT	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					表面贴装	54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	54	54-TSOP II	Details	有	1000	TSOP-II	Parallel	Infineon Technologies	Parallel	表面贴装	Tape & Reel (TR)	CY14B116	活跃	Non-Volatile	Industrial grade	-40 to 85 °C	Reel		CY14B116					NVSRAM			NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	3 V							16Mbit		25 ns	NVSRAM	Parallel	16 Bit	1Mx16		25ns	16 Mb	Industrial				1M x 16
		CY14B116N-ZSP25XIES	Cypress	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1